13 de octubre de 2023 Canon ha presentado el sistema de litografía por nanoimpresión FPA-1200NZ2C, una avanzada tecnología de fabricación de semiconductores.
A diferencia de la fotolitografía convencional, que se basa en la proyección de un patrón de circuito sobre una oblea recubierta de resistencia, la litografía de nanoimpresión transfiere el circuito presionando una máscara con el diseño deseado sobre la resistencia de la oblea semiconductora, de forma similar al uso de un troquel. Este método único prescinde de un mecanismo óptico, garantizando que el fino patrón del circuito se reproduzca con precisión de la máscara a la oblea. Esto permite crear complejos patrones bidimensionales o tridimensionales en una sola impresión, reduciendo potencialmente los costes.
Además, la tecnología de litografía de nanoimpresión de Canon permite imprimir patrones en dispositivos semiconductores con una anchura de línea mínima de 14nm. Esto equivale a los nodos de 5 nm necesarios para producir los semiconductores lógicos más avanzados que existen en la actualidad. A medida que la tecnología de máscaras NIL siga evolucionando, se espera que se creen circuitos con un ancho de línea mínimo de 10 nm, equivalente a un nodo de 2 nm. Esto habla de la increíble precisión e innovación de esta tecnología.
Además de sus capacidades técnicas, el sistema FPA-1200NZ2C ofrece ventajas medioambientales. Al no necesitar una fuente de luz de longitud de onda específica para crear circuitos finos, se reduce considerablemente el consumo de energía en comparación con los equipos de fotolitografía actuales (nodos de 5nm con anchos de línea de 15nm). Esto no sólo mejora la eficiencia energética, sino que también reduce las emisiones de dióxido de carbono.
Además, la tecnología de litografía de nanoimpresión de Canon permite imprimir patrones en dispositivos semiconductores con una anchura de línea mínima de 14nm. Esto equivale a los nodos de 5 nm necesarios para producir los semiconductores lógicos más avanzados que existen en la actualidad. A medida que la tecnología de máscaras NIL siga evolucionando, se espera que se creen circuitos con un ancho de línea mínimo de 10 nm, equivalente a un nodo de 2 nm. Esto habla de la increíble precisión e innovación de esta tecnología.
Además de sus capacidades técnicas, el sistema FPA-1200NZ2C ofrece ventajas medioambientales. Al no necesitar una fuente de luz de longitud de onda específica para crear circuitos finos, se reduce considerablemente el consumo de energía en comparación con los equipos de fotolitografía actuales (nodos de 5nm con anchos de línea de 15nm). Esto no sólo mejora la eficiencia energética, sino que también reduce las emisiones de dióxido de carbono.