E&R presenta los semiconductores de banda prohibida ancha - Tecnología SiC
2023-11-09 01:01
Las ventajas de los semiconductores de carburo de silicio (SiC) son evidentes. El SiC es superior al silicio en cuanto a estabilidad a altas temperaturas, alto voltaje, características de alta potencia y pérdidas mínimas.
Actualmente, los sustratos de SiC están disponibles principalmente en tamaños de 4 y 6 pulgadas, pero se está trabajando en sustratos de 8 y 12 pulgadas.
E&R trabaja con líderes y proveedores de la industria mundial para ofrecer soluciones clave de integración de SiC:
1. Recocido por láser. Láser de longitud de onda ultracorta para un recocido superficial preciso y uniforme. 2. Etiquetado de identificación de obleas. Láser ultravioleta con una longitud de onda de 355 nm. Funciona en obleas de 6, 8 y 12 pulgadas tanto por la parte superior como por la posterior. 3. Corta las placas en cubos y ranuras. Tecnología láser Pico second y Femto second para cortar y ranurar. 4. Espectroscopia Raman. Esta tecnología permite evaluar y corregir los parámetros del proceso, aumentando la productividad del mismo. 5. 5. Tratamiento con plasma. Limpieza de obleas antes de su unión y moldeado.
E&R expondrá en Semicon Europa, que se celebrará en Múnich (Alemania) del 14 al 17 de noviembre de 2023. Visite el stand # B2378.